• FSD7610-C Intergrated current sensor
Sensor de corriente integrado

Sensor de corriente integrado FSD7610-C

El sensor de corriente en chip de la serie FSD7610-C se basa en el principio de la inducelectromagnética, utilizando el diseño de túnel de resistencia (FSD) con alta sensibilidad y alta relación señal-ruido, y su circuito interno de compensación de deriva de temperatura, bajo la condición de aislamiento eléctrico del lado primario secundario, que puede medir con precisión las señales de corriente en forma de DC, AC y pulso.

descripción

Ventajas:

parámetros

selección

descargar

Diagrama de bloques funcionales


Curva típica de producción




Forma de onda de encendido — en tiempo de inicio




Curva característica de respuesta de frecuencia

Las siguientes curvas se pruesegún FSD7616-050C5BFB como ejemplo:



Definición de parámetros y fórmula de cálculo

encapsulación


Definición de Pin y diagrama de cable.


Número de serieNombre del PinLa característica
1IP+La corriente que fluye en dirección positiva
2IP-Corriente que fluye hacia fuera, dirección negativa
3NCNo hay conexión eléctrica interna, suspendida por defecto
4VCCFuente de alimentación
5NCNo hay conexión eléctrica interna, suspendida por defecto
6VOUTSalida de tensión analógica
7VREFTensión de referencia
8NCNo hay conexión eléctrica interna, suspendida por defecto
9PNBeléctricamente
10NCInterno sin conexión eléctrica, suspensión por defecto sin conexión eléctrica, suspensión por defecto


Diseño recomendado

Temperatura de Unión del Chip y corriente primaria

La relación entre la temperatura de Unión y la corriente primaria de los chips de la serie FSD7610-C se mide con la siguiente tarjeta de demostración experimental.




Información sobre el PCB
Número de pisos2 capas
Camino lateral Original cubierto de cobre área de una sola capa450 mm2
Espesor de recubrimiento de cobre de una sola capa4Oz



Figura 17 PCB DEMO reference layout diagram



El aumento de temperatura de la Unión FSD7610-C se debe principalmente al calor espontáde la corriente que fluye a través de la trayectoria del conductor primario, y el calor se conduce a través del cuerpo de sellado de plástico, marco de plomo, PCB y aire. A temperatura normal, la curva de relación entre la corriente de carga continua (RMS) de FSD7610-C y el aumento de la temperatura de la Unión se muestra en la figura 18. En el entorno de flujo de aire natural a temperatura normal, la temperatura de Unión de FSD7610-C generalmente tiende a ser estable cuando la corriente continua se carga durante unos 10 minutos. Como se muestra en la figura 19, cuando la corriente DC se carga continuamente para 100A a 26°C, la relación entre el aumento de la temperatura de la Unión y el tiempo actual de carga es de unos 350s. La temperatura de Unión del chip es cercana a 165°C.

La curva de relación entre la capacidad de carga de corriente continua máxima (RMS actual) de FSD7610-C y la temperatura ambiente de funcionamiento se muestra en la figura 20. Cuando la temperatura ambiente es 25°C, la máxima corriente continua RMS es 96A. A 125 grados, esoAproximadamente 54A. Si la temperatura de la Unión no supera los 165°C, se permite que la tensión o corriente de pulso exceda el valor máximo indicado en el diagrama.


instrucciones 

1) cables incorrectos pueden dañar el sensor.

2) la tensión de alimentación del producto VCC debe cumplir las especificaciones. Si el voltaes demasiado bajo, el producto no puede ser emitido con precisión. Si el voltaes demasiado alto, el producto puede dañarse.

3) el enlace de filtrado RC entre la salida de producto VOUT y GND se puede añadir de acuerdo con los requisitos reales para ajustar las características de frecuencia de salida del producto.

4) los sensores se pueden personalizar de acuerdo a los requerimientos del cliente, incluyendo voltade alimentación, rango de corriente de medición, definición de pin, y más.


Características del producto    

• paquete SOPW de 10 pines

• alta precisión

• bajo nivel de ruido

• banda de frecuencia ancha, respuesta rápida

• excelente estabilidad de temperatura

• RoHS & Cumplimiento de la normativa REACH


Aplicación típica

• detección de corriente Inverter

• monitoreo de potencia

• Motor de Motor

• energía solar fotovoltaica

• protección de sobrecorriente


Calificación máxima absoluta

parámetro

Símbolo símbolo

Valo mínimo

Valo máximo

unidad

Tensión de alimentación

VCC

-

6

V

Rendimiento de ESD (HBM)

VESD

-

4

en

Temperatura de servicio

Tun

-40

125

°C

Temperatura de almacenamiento

TSTG

-40

125

°C

Máxima temperatura de Unión

TJ(MunX)

-

165

°C


Aislamiento aislamiento característico

parámetro

Símbolo símbolo

Valor nominal

unidad

Resistencia a la compresión del aislamiento

VD.

4.8

KV (50Hz) 1min)

Tensión máxima de aislamiento de funcionamiento

VISO

1618

VPK



1144

RMS

Distancia de fuga

dCP

2

mm

Separación eléctrica

dCL

2

mm

Índice relativo de marcado de fugas

CTI

i 600

V

 

Parámetro eléctrico

parámetro

 Símbolo símbolo

condiciones

Valor mínimo

Valor típico

Valor máximo

 unidad

Tensión de alimentación

 VCC

FSD7610-XXXC3BFB

3

3.3

3.6

 V



FSD7610-XXXC5BFB

4.5

5

5.5


Tensión de polarización cero

 VOFF

IP = 0, VCC  = 3.3 V,FSD7610-XXXC3BFB

-

1,65

-

V



IP = 0, VCC  = 5 V,FSD7610-XXXC5BFB

-

2.5

-


Tensión de saturación de salida

VOL

-

0,2

-

-

V


VOH

-

-

-

VCC - 0,2


Consumo consumo corriente

IC

VCC = 3.3 V

-

-

6

mA



VCC = 5 V

-

-

6


Tiempo de encendido

Por tonelada tonelada

Nivel estable desde VCC − 2.5V a VOUT

-

200

-

s

Resistencia del conductor primario primario

— — — — —

TA = 25°C

-

0,27

-

m

Carga de resistencia de salida

RL

Entre VOUT y GND

1

10

-

K Ω

Carga de la capacidad de salida

CL

Entre VOUT y GND

-

-

10

nF

Corriente de arrastre de salida

IOUT(fuente)

VCC = 3.3V, VOUT shorted a GND

-

43

-

mA



VCC = 5 V, VOUT corto a GND

-

45

-


Corriente de llenado de salida

IOUT(freg)

VCC = 3.3V, VOUT shorted a VCC

-

43

-

mA



VCC = 5 V, VOUT shorted a VCC

-

45

-


Carga de resistencia VREF

RLREF

Entre VREF y GND

10

100

-

K Ω

Carga capacitiva VREF

CLREF

Entre VREF y GND

-

1

10

nF

Corriente de tracción VREF

IREF(fuente)

VCC = 3.3V, corto circuito VREF a GND

-

7

-

 mA



VCC = 5 V, corto circuito VREF a GND

-

8.7

-


 Corriente de perfusión del VREF

IREF(SINK)

VCC = 3.3V, corto circuito VREF a VCC

-

0.125

-

 mA



VCC = 5 V, corto circuito VREF a VCC

-

0.135

-


Relación de rechazo de la fuente de alimentación

PSRR

DC~1A A A kHz, 100En En En En mV pk-pk Ripple aroud VCC  = 5 V, IP  = 0

-

-40

-

dB

Relación de rechazo del campo magnético en modo común

CMFRR

Campo magnético externo uniforme

-

-40

-

dB

Tiempo de elevación

trise

 10% a 90% del tiempo desde el VOUT final

-

1.1

-

s

Tiempo de retraso

tD

20% de tiempo desde el IPfinal hasta el VOUT correspondiente

-

0,4

-

s

Tiempo de respuesta

tR

90% del tiempo desde la IPfinal hasta el VOUT correspondiente

-

1.2

-

s

Ancho de banda

%

IP= 10A, atenude amplitud a -3dB

-

350

-

kHz

 

FSD7610-XXXC3BFB Parámetro de rendimiento

TA = 25 C, VCC = 3,3v, RL = 10 kΩ a menos que se especifique lo contrario

 

parámetro

Símbolo símbolo

condiciones

Valor mínimo

Valor típico

Valor máximo

unidad

medición gama

IPM

FSD7610-050C3BFB

-50

-

50

 A



FSD7610-075C3BFB

-75

-

75




FSD7610-100C3BFB

-100

-

100




FSD7610-150C3BFB

-150

-

150




FSD7610200C3BFB

200

-

200


sensibilidad

S

FSD7610-050C3BFB

-

26.4

-

 MV /A



FSD7610-075C3BFB

-

17.6

-




FSD7610-100C3BFB

-

13.2

-




FSD7610-150C3BFB

-

8.8

-




FSD7610-200C3BFB

-

6.6

-


 Error de base

 XG

TA = 25 C, IP = IPM(min) ~ IPM(max)

-

1

-

 %IPM(max)



TA = -40 °C ~ +25 C, IP = IPM(min) ~ IPM(max)

-2

-

2




TA = 25 °C ~ +125 C, IP = IPM(min)  ~ IPM(max)

-3

-

3


Error de linealidad

1

IP = IPM(min) ~ IPM(max)

-

0.5

1

%IPM(max)

Error de sensibilidad

S

TA = 25 C, IP = IPM(min) ~ IPM(max)

-1

-

1

 %



TA = -40 °C ~ +25 C, IP = IPM(min) ~ IPM(max)

-1.5

-

1.5




TA = 25 °C ~ +125 C, IP = IPM(min)  ~ IPM(max)

-2

-

2


Tensión de referencia

 VREF

TA = 25 °C

645

-

655

 V



TA = -40 °C ~ +125 °C

635

-

665


 Tensión de desplazamiento cero

 VOE

TA = 25 C, IP  = 0, VOUT - VREF

-10

-

10

 mV



TA = -40 °C ~ +25 C, IP  = 0, VOUT - VREF

12

-

12




TA = 25 °C ~ +125 C, IP = 0, VOUT - VREF

-20

-

20


histéresis

VOH

IP = IPM(min) or IPM(max) i 0

-10

-

10

mV

ruido

VN

TA = 25 C, % = 100 kHz

-

10

-

mVPP

 

FSD7610-XXXC5BFB

TA = 25 C, VCC = 5 V, RL = 10 kΩ a menos que se especifique lo contrario


parámetro

 Símbolo símbolo

 condiciones

Valor mínimo

Valor mínimo

Valor mínimo

unidad

Rango de medición

 IPM

FSD7610-050C5BFB

-50

-

50

A



FSD7610-075C5BFB

-75

-

75




FSD7610-100C5BFB

-100

-

100




FSD7610-150C5BFB

-150

-

150




FSD7610-200C5BFB

-200

-

200


sensibilidad

 S

FSD7610-050C5BFB

-

40

-

MV /A



FSD7610-075C5BFB

-

26.67

-




FSD7610-100C5BFB

-

20

-




FSD7610-150C5BFB

-

13.33

-




FSD7610-200C5BFB

-

10

-


Error de base

XG

TA = 25 C, IP = IPM(min) ~ IPM(max)

-

1

-

%IPM(max)



TA = -40 °C ~ +25 C, IP = IPM(min) ~ IPM(max)

-2

-

2




TA = 25 °C ~ +125 C, IP = IPM(min)  ~ IPM(max)

-3

-

3


Error de linealidad

1

IP = IPM(min) ~ IPM(max)

-

0.5

1

%IPM(max)

Error de sensibilidad

S

TA = 25 C, IP = IPM(min) ~ IPM(max)

-1

-

1

 %



TA = -40 °C ~ +25 C, IP = IPM(min) ~ IPM(max)

-1.5

-

1.5




TA = 25 °C ~ +125 C, IP  = IPM(min)  ~ IPM(max)

-2

-

2


Tensión de referencia

VREF

TA = 25 °C

2.495

-

2.505

V



TA = -40 °C ~ +125 °C

2.48

-

2.52


Tensión de desplazamiento cero

VOE

TA = 25 C, IP  = 0, VOUT - VREF

-10

-

10

mV



TA = -40 °C ~ +25 C, IP  = 0, VOUT - VREF

-15

-

15




TA = 25 °C ~ +125 °C, IP  = 0, VOUT - VREF

-20

-

20


histéresis

VOH

IP  = IPM(min) or IPM(max) i 0

-10

-

10

mV

 ruido

VN

TA = 25 °C, % = 100 kHz

-

10

-

mVPP


tipo

Tensión de alimentación

medición gama

Tensión de polarización cero

sensibilidad

FSD7610-050C3BFB

3.3 V

50 ± un

1,65 V

26.4mV/un

FSD7610-075C3BFB

3.3 V

75 ± un

1,65 V

17.6MV /un

FSD7610-100C3BFB

3.3 V

100 100 ±

1,65 V

13.2 MV /un

FSD7610-150C3BFB

3.3 V

150 ± un

1,65 V

8.8MV /A

FSD7610-200C3BFB

3.3 V

¥200A

1,65 V

6.6MV /A

FSD7610-050C5BFB

5 V

50 ± A

2.5 V

40 MV /A

FSD7610-075C5BFB

5 V

75 ± A

2.5 V

26.67 MV /A

FSD7610-100C5BFB

5 V

±100 A

2.5 V

20 mV/A

FSD7610-150C5BFB

5 V

£150A

2.5 V

13.33 mV/A

FSD7610-200C5BFB

5 V

¥200A

2.5 V

10 mV/A


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